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512MB C-死DDR2 SDRAM
速率等级时序参数
（参见注释底部与此相关的表信息）
参数
从CK / CK DQ输出访问时间
从CK / CK DQS输出访问时间
CK高电平宽度
CK低电平宽度
CK半期
时钟周期，CL = X
DQ和DM输入保持时间
DQ和DM输入建立时间
控制&地址输入脉冲宽度为每个
输入
DQ和DM输入脉冲宽度为每个输入
从CK / CK数据输出高阻抗的时间
从CK / CK DQS低阻抗时间
从CK / CK DQ低阻抗时间
DQS -DQ歪斜的DQS和DQ相关
信号的
DQ举行倾斜因子
从DQS DQ / DQS输出保持时间
DDR2 SDRAM
符号
TAC
tDQSCK
总胆固醇
TCL
THP
TCK
TDH （基峰）
TDS （基地）
tIPW
tDIPW
太赫兹
TLZ （ DQS ）
TLZ （DQ）
TDQSQ
TQHS
tQH
DDR2-800
民
-400
-350
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
2500
125
50
0.6
0.35
x
TAC分钟
2*tAC
民
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
250
175
0.9
0.4
7.5
10
35
45
2
15
WR + tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
x
x
DDR2-667
民
-450
-400
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
3000
175
100
0.6
0.35
x
TAC分钟
2*tAC
民
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
275
200
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
WR + tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
x
x
x
DDR2-533
民
-500
-450
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
3750
225
100
0.6
0.35
x
TAC分钟
DDR2-400
民
-600
-500
0.45
0.45
分（ TCL ，
TCH）
5000
275
150
0.6
0.35
x
TAC分钟
单位备注
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
ps
ps
ps
ps
ps
ps
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ps
ps
TCK
TCK
ns
ns
ns
ns
TCK
14,16,1
8,23
14,16,1
8,22
28
28
12
12
19
27
27
22
21
20,21
24
15,16,
17,20
15,16,
17,21
最大
+400
+350
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
200
300
x
0.25
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
最大
+450
+400
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
240
340
x
0.25
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
最大
+500
+450
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
最大
+600
+500
0.55
0.55
x
8000
x
x
x
x
TAC最大
TAC最大
TAC最大
350
450
x
0.25
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
2 * tACmin TAC最大2 * tACmin
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
375
250
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
WR + tRP的
7.5
7.5
tRFC + 10
x
x
x
300
400
x
0.25
x
x
x
x
x
0.6
x
x
x
1.1
0.6
x
x
x
x
THP -
TQHS
-0.25
0.35
0.35
0.2
0.2
2
0.4
0.35
475
350
0.9
0.4
7.5
10
37.5
50
2
15
WR + tRP的
10
7.5
tRFC + 10
第一DQS闭锁过渡到相关的时钟
tDQSS
EDGE
DQS输入高电平脉冲宽度
DQS输入低脉冲宽度
DQS下降沿到CK建立时间
DQS从CK下降沿保持时间
模式寄存器设置命令周期时间
写后同步
写序言
地址和控制输入保持时间
地址和控制输入建立时间
阅读序言
阅读后同步
积极为1KB页面激活命令时期
产品尺寸
积极为2KB页激活命令时期
产品尺寸
四激活窗口为1KB的页面大小
制品
四激活窗口为2KB页大小
制品
CAS到CAS命令延迟
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
内部读取到预充电命令延迟
退出自刷新到非读命令
tDQSH
tDQSL
TDSS
tDSH
超过tMRD
tWPST
tWPRE
TIH （基峰）
TIS （基地）
tRPRE
tRPST
TRRD
TRRD
tFAW
tFAW
TCCD
tWR的
tDAL
Twtr
tRTP
tXSNR
x
x
x
ns
TCK
ns
ns
ns
23
33
11
第20页29
修订版1.4 2005年08月
