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PSD834F2V
复位FLASH 。
复位闪光指令CON-
1写周期的sists （见表7）。它也可以
任选地被前面的标准两个写
解码周期（写入AAH为555H和55H到
AAAH ） 。它必须经被执行：
- 读取闪存保护状态或Flash ID
- 发生了错误条件（与设备
曾在一个设定错误标志（ DQ5 ）位为1）
闪存编程或擦除周期。
复位闪光指令使闪存memo-
RY回到正常的读取模式。如果错误条件
化发生（和设备已设置错误
标志（ DQ5 ）位为1）的闪存放回
进入25以内正常读取模式
s
复位的
已发出闪光指令。复位
当它发出很好地协同闪光指令被忽略
荷兰国际集团的闪存程序或批量擦除周期
内存。复位闪光指令中止任何
正在进行的扇区擦除周期，并返回
在Flash存储器正常读模式
25
s.
复位（ RESET ）信号。
上电复位脉冲（重
SET ）中止任何周期正在进行中，并重新
设置闪存的读取模式。当
编程或擦除周期内复位时，
闪存存储器占用到25
s
要返回
读模式。建议在复位
（ RESET ）脉冲（除上电复位，如
第60页上的说明）至少25
s
从而使
闪存是随时准备为单片机
复位后取出引导赛扬说明
CLE完成。
SRAM
SRAM被启用时， SRAM选择（ RS0 ）
从DPLD为高。 SRAM选择（ RS0 ）可以
包含多达两个乘积项，允许灵活
内存映射。
对SRAM可以使用外部备份
电池。外接电池应连接
电压待机（ VSTBY ， PC2 ） 。如果你有一个
连接到PSD外接电池，犯人
SRAM的内容被保留在一个事件
功率损耗。 SRAM的内容再
tained ，只要该电池的电压保持在
2伏或更高。如果电源电压下降到低于
电池电压，内部电源切换到
电池发生。
PC4可以被配置为输出用于指示
当电源正在从外部BAT-绘制
tery 。电池指示灯（ VBATON ， PC4 ）是高
与电源电压低于电池电压
年龄和电池电压待机（ VSTBY ，
PC2 ）被供给电力的内部SRAM 。
SRAM选择（ RS0 ） ，电压待机（ VSTBY ，
PC2 ）和电池指示灯（ VBATON ， PC4 ）
使用PSDsoft中快速组态的所有配置
口粮。
行业选择和SRAM选择
行业选择（ FS0 - FS7 ， CSBOOT0 - CSBOOT3 ）
和SRAM选择（ RS0 ）是的所有输出
DPLD 。它们是设置写方程
他们PSDabel 。以下规则适用于
方程这些信号：
1.主闪存和辅助闪存
内存行业选择信号必须
不
是larg-
尔比物理扇区大小。
2.任何主要的闪存部门必须
不
be
映射为另一个相同的内存空间
快闪记忆体部门。
3.二次闪存部门必须
不
be
映射为另一个相同的内存空间
二级闪存部门。
4. SRAM ， I / O和外设I / O必须的空间
不
重叠。
5.二次闪存部门
五月
交叠
伯闪存扇区。如遇过
一圈，优先级被给予二次闪光
内存部门。
6. SRAM ， I / O和外设I / O空间
五月
重叠的任何其它存储器扇区。当务之急是giv-
连接到SRAM ， I / O或外设I / O 。
例子。
FS0时有效地址是在
8000H到BFFFH范围， CSBOOT0是有效的
8000H到9FFFH和RS0的有效期是从8000h到
87FFh 。任何地址中RS0的范围始终
访问SRAM中。任何地址的范围
CSBOOT0比87FFh更大（且小于
9FFFH ）地址自动辅助闪光
内存段0的任何地址大于
9FFFH访问主闪存存储器段
换货0。可以看到的主要闪存的一半
内存段0和二次四分之一
闪存市场0不能访问
这个例子。另外请注意，方程，其决定
罚款FS1到任何地方8000H到范围
BFFFH会
不
是有效的。
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