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PSD834F2V
具体操作
如图2所示， PSD由六个马
JOR类型的功能块：
s
内存块
s
s
s
s
s
PLD模块
单片机总线接口
I / O端口
电源管理单元（ PMU ）
JTAG接口
各块的功能，在描述
下面的章节。许多块的执行
多项功能，并且是用户可配置的。
内存块
该PSD具有以下内存块：
- 主闪存
- 二次闪存
SRAM
在这些块存储器选择信号原稿
内特从译码PLD （ DPLD ），并且用户自
在PSDsoft中快速定义。
主闪存和辅助闪存
内存描述
主要的闪存平均分为
八个相等的部门。二级闪存
被分成四个相等的扇区。的每个扇区
任一存储器块可以单独保护
从编程和擦除周期。
快闪记忆体可在一个部门逐节删除
器的基础。 Flash扇区擦除可能会被暂停
当数据从块的其他部门阅读
和阅读后，再重新开始。
在闪存编程或擦除周期，
状态可以在就绪/忙（ PC3 ）输出。
该引脚设置使用PSDsoft中快速组态
口粮。
内存块选择信号
该DPLD生成所有的选择信号
内存模块（请参阅部分标题为
“可编程逻辑器件” ，第27页） 。每八大行业
主Flash存储器选择信号
（ FS0 - FS7 ），其可含有多达3产物
条款。四个部门副的
闪存具有一个选择信号（ CSBOOT0-
CSBOOT3 ），其可含有多达3产物
条款。有三个方面的产品为每个选择
信号允许在给定扇区映射在differ-
系统内存耳鼻喉科领域。当使用一个MCU
有独立的程序和数据空间，这些
灵活的选信号进行动态重映射
从到另一个存储器空间扇区。
就绪/忙（ PC3 ） 。
这个信号可以用来
输出PSD的Ready / Busy状态。在输出
穿上就绪/忙（ PC3 ）是0 （忙）在Flash
存储器被写入，
or
当闪存
正在被删除。输出是一个1 （就绪）时
不写或擦除周期正在进行中。
存储器操作。
主要的闪存
和第二Flash存储器寻址
通过单片机总线接口。 MCU可以AC-
CESS这些存储器中的两种方法之一：
s
MCU可以执行一个典型的总线写或
读
手术
只是因为它会如果访问
使用标准的总线周期RAM或ROM设备。
s
MCU可以执行特定的指令
由若干写和读操作。
这涉及到写入特定的数据模式，以
闪存存储器中的特殊地址
调用嵌入式算法。这些
指令汇总于表7中。
通常情况下， MCU可以通过读取闪存
读操作，就像它会读取DE- ROM
副。然而，闪速存储器只能被改变
使用特定的擦除和编程指令。为
例如， MCU不能写一个字节二
接连到闪存，因为它会写入一个字节
内存。要设定一个字节到闪存中，
MCU必须执行一个程序指令，则
测试程序循环的状态。此状态
测试是由一个读操作或轮询实现
就绪/忙（ PC3 ） 。
闪速存储器还可以通过使用特殊的读取
指令检索特定的闪存器件产生
形成（部门保护状态和ID ） 。
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