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SUM40N03-30L
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ） 175_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
30
特点
I
D
(A)
40
33
r
DS （ ON）
(W)
0.030 @ V
GS
= 10 V
0.045 @ V
GS
= 4.5 V
Q
g
（典型值）
18
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
175_C结温
D
100% R
g
经过测试
TO-263
D
的漏极连接到选项卡
G
S
G
顶视图
订购信息： SUM40N03-30L -E3
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
漏电流脉冲
单脉冲雪崩电流
重复性雪崩
能源
a
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C
c
T
C
= 25_C
T
C
= 100_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
30
"20
40
36
40
30
31.25
100
b
3.75
55
175
单位
V
A
mJ
W
_C
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境
结到外壳
笔记
一。占空比
v
1%.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
印刷电路板安装
c
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
1.5
单位
° C / W
文档编号： 73245
S- 50140 -REV 。 A， 24 -JAN- 05
www.vishay.com
1
