三菱N沟道功率MOSFET
FS3UM-14A
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
50
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
T
C
= 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
10
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
()
T
C
= 25°C
脉冲测试
40
I
D
= 6A
8
V
GS
= 10V
30
6
20V
20
3A
4
10
1A
2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
0
4
8
12
16
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
10
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
（典型值）
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
= 25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
8
3
2
10
0
7
5
3
2
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
TCH = 25°C
2
F = 1MH
Z
10
0
V
GS
= 0V
西塞
开关特性
（典型值）
10
3
7
5
切换时间（纳秒）
TCH = 25°C
V
DD
= 200V
V
GS
= 10V
R
根
= R
GS
= 50
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1 –1
10
2 3
5 7 10
0
科斯
t
D（关闭）
t
f
t
r
t
D（上）
CRSS
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2
漏源电压V
DS
(V)
2 3
5 7 10
1
漏电流I
D
(A)
Feb.1999
