W49F102
64K
×
16 CMOS FLASH MEMORY
概述
该W49F102是1兆， 5伏的CMOS只闪组织为64K内存
×
16位。该装置
可以编程和擦除的在系统使用标准的5V电源。一个12伏V
PP
不
所需。该W49F102的独特的细胞结构导致在快速编程/擦除操作与
极低的电流消耗（相对于其他可比的5伏闪存产品） 。该
设备也可以被编程，并使用标准EPROM编程擦除。
特点
单5伏的操作：
5伏读
5伏擦除
5伏计划
低功耗
工作电流：25 mA（典型值）
A
（典型值）。
快速的程序操作：
文字的字编程： 50
S
（ MAX 。 ）
快速擦除操作： 100毫秒（典型值）。
快速读取访问时间： 40/45纳秒
耐力： 10K周期（典型值）。
十年的数据保留
硬件数据保护
与锁定保护8K字引导块
自动编程和擦除时间与
内部V
PP
GENERATION
编程或擦除检测结束
切换位
数据轮询
锁存地址和数据
TTL兼容的I / O
JEDEC标准字宽引脚
可用封装： 40引脚TSOP和44引脚
PLCC
-1-
出版日期： 2000年10月
修订A3
