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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
3.10.3
多块擦除校验读操作
FL灰内存
经过一个多块擦除操作,验证与多块擦除每块校验命令结合的擦除操作结果
每个块的地址。
如果一个故障地址被识别时,它必须在固件进行管理。
多块擦除/多功能块擦除校验读流程图
开始
写“ FBA ”的闪存
地址: F100H DQ = FBA
阅读器
状态寄存器
地址: F240h DQ [ 10 ] =错误
写“ DFS
1)
',' FBA '的闪光
地址: F100H DQ = DFS , FBA
写0到中断寄存器
地址: F241h DQ = 0000H
DQ[10]=0?
NO
是的
删除完成
写0到中断寄存器
地址: F241h DQ = 0000H
写“块擦除
命令?
地址: F220h DQ = 0094h
写“多块擦除”
命令
地址: F220h DQ = 0095h
等待INT寄存器
从低到高的转变
地址: F241h DQ = [ 15 ] = INT
等待INT寄存器
从低到高的转变
地址: F241h DQ = [ 15 ] = INT
写“ FBA ”的闪存
地址: F100H DQ = FBA
NO
NO
擦除错误
最后多座
抹掉地址?
是的
多块擦除完成
最后多座
删除?
是的
写0到中断寄存器
地址: F241h DQ = 0000H
多块擦除校验读
写“多块擦除
验证读取命令'
地址: F220h DQ = 0071h
* DFS是DDP
等待INT寄存器
从低到高的转变
地址: F241h DQ = [ 15 ] = INT
注释1)的DFS应该是一个固定值,对于多块擦除是在单个芯片内进行。
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