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OneNAND4G(KFW4G16Q2M-DEB5)
OneNAND2G(KFH2G16Q2M-DEB5)
OneNAND1G(KFG1G16Q2M-DEB5)
FL灰内存
6.14
AVD
NAND闪存内核复位时序
A0~A15
F220h
DQ0~DQ15
CE
00F0h
OE
WE
t
准备
2
INT
位
高-Z
RDY
OneNAND闪存
手术
操作或空闲
NAND闪存内核复位
空闲
6.15
数据保护时间在断电
该设备被设计为从任何非自愿程序提供保护/上电期间的过渡抹去。的内部电压检测器
禁止在VCC低于约1.3V的所有功能。 RP引脚提供了硬件保障，并建议保持在V
IL
掉电前。
V
CC
（典型值） 。 1.3V
0V
RP
INT
OneNAND闪存
手术
一个NAND复位
空闲
NAND写入
保护
116
