位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1346页 > MB89W625C-SH > MB89W625C-SH PDF资料 > MB89W625C-SH PDF资料1第20页
MB89620R系列
s
办理MB89P625 / P627
1.推荐筛选条件
高温老化被推荐为预组装的筛选程序的产物与冲切
OTPROM微机程序。
程序，验证
老化
+ 150 ° C， 48小时
数据验证
装配
2.编程产量
所有比特不能在富士通航运测试编程为冲切OTPROM微机，由于其性质。
由于这个原因，为100％的收率的编程就不能保证在任何时候。
3.擦除
为了明确它们的编程内容的所有位置，它是必要的内部EPROM暴露到
紫外光源。 10 WS /厘米的剂量
2
需要彻底删除内部EPROM 。该剂量
用12000的强度可以通过暴露于紫外线灯来获得（ 2537埃（）的波长）
μW /厘米
2
为15至21分钟。的内部EPROM应约从源和所有筛选条件1英寸
应该从擦除前的UV光源被除去。
值得注意的是，内部EPROM和类似装置，将与光源具有波长擦除是很重要
长度比4000A短。虽然擦除时间将比使用UV源长得多，在2537 ， never-
theless暴露于日光灯和阳光终将消除内部EPROM ，和曝光
他们应当防止以实现最大的系统可靠性。如果在这样的环境中使用，包
窗户应涵盖不透明的标签或物质。
20
