SGW6N60UF
200
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 80
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
15
共发射极
R
L
= 100
TC = 25 ？
门 - 发射极电压， V [ V]
GE
100
12
开关损耗[ UJ ]
9
300 V
6
V
CC
= 100 V
3
200 V
宙
宙
EOFF
10
EOFF
5
1
2
3
4
5
6
0
0
3
6
9
12
15
集电极电流，I
C
[A]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图13.开关损耗与集电极电流
图14.栅极电荷特性
50
IC MAX 。 （脉冲）
10
50
50us
IC最大。 （连续）
1
100us
集电极电流，I
C
[A]
1
直流操作
单非重复性
脉冲吨
C
= 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.3
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
[A]
10
1
0.1
安全工作区
V
GE
= 20V ，T
C
=100 C
0.1
1
10
100
1000
o
0.01
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图15. SOA特征
图16.打开，关闭的SOA特性
10
热响应， Zthjc [
℃
/W]
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
t1
t2
占空比D = T1 / T2
山顶TJ = PDM
×
Zthjc + T
C
PDM
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
矩形脉冲持续时间（秒）
IGBT图17.瞬态热阻抗
2002仙童半导体公司
SGW6N60UF牧师A1
