MTW6N100E
电气特性
（ TJ = 25° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
（ VGS = 0伏， ID = 250
μAdc ）
温度系数（正）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 1000伏， VGS = 0伏）
（ VDS = 1000伏， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
门体漏电流（ VGS =
±
20伏直流电， VDS = 0 ）
基本特征（ 1 ）
栅极阈值电压
（VDS = VGS ，ID = 250
μAdc ）
温度系数（负）
静态漏源导通电阻（ VGS = 10 VDC ， ID = 3.0 ADC ）
漏源电压（ VGS = 10 V直流）
（ID = 6.0 ADC ）
（ID = 3.0 ADC ， TJ = 125°C ）
正向跨导（ VDS = 10 VDC ， ID = 3.0 ADC ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性（ 2 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
栅极电荷
（参见图8）
（ VDS = 800伏， ID = 6 0广告
Vd
6.0 ADC ，
VGS = 10 V直流）
（ VDD = 500伏， ID = 6 0广告
Vd
6.0 ADC ，
VDC ，
VGS = 10伏直流
RG = 9
)
9.1 )
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
QT
Q1
Q2
Q3
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
（ IS = 6.0 ADC ， VGS = 0伏）
（ IS = 6.0 ADC ， VGS = 0伏， TJ = 125°C ）
VSD
—
—
TRR
(
（ IS = 6 0广告， VGS = 0伏，
6.0 ADC ，
VD，
DIS / DT = 100 A / μs）内
ta
tb
QRR
LD
LS
—
—
—
—
0.808
0.64
735
188
547
4.7
1.0
—
—
—
—
—
C
ns
VDC
—
—
—
—
—
—
—
—
27
29
93
43
66
12.5
25.9
26
45
65
170
95
100
—
—
—
nC
ns
（ VDS = 25伏直流电， VGS = 0伏，
VDC
VDC
F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
3000
219
43
4210
440
90
pF
VGS （ TH）
2.0
—
RDS （ ON）
VDS （上）
—
—
政府飞行服务队
4.0
8.0
—
7.2
14.4
12.6
—
姆欧
—
3.0
7.0
1.28
4.0
—
1.5
VDC
毫伏/°C的
欧姆
VDC
V（ BR ） DSS
1000
—
IDSS
—
—
IGSS
—
—
—
—
10
100
100
NADC
—
1,270
—
—
VDC
毫伏/°C的
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
（参见图重14）
科幻gure
反向恢复电荷存储
内部封装电感
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部源极电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2%.
（ 2 ）开关特性是独立的工作结温。
—
—
4.5
13
—
—
nH
nH
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
