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K4M56163PE - R（ B ）G /女
大4M x 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA
特点
1.8V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
扩展温度操作（ -25 ° C 85°C ） 。
54Balls FBGA封装，具有0.8mm焊球间距
（ -RXXX ：含铅， -BXXX ：无铅） 。
移动SDRAM
概述
该K4M56163PE是268435456位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 4196304字16位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计使精确控制设备
与使用系统时钟和I / O的交易是可能的
在每个时钟周期。的工作频率的范围内，亲
可编程突发长度和可编程延迟允许
相同的设备是有用的，适用于各种高带宽和
高性能存储系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4M56163PE-R(B)G/F90
K4M56163PE-R(B)G/F1L
最大频率。
111MHz （CL = 3） ， 83MHz的（CL = 2）的
105MHz （CL = 3） ， 66MHz的（CL = 2）的
*1
接口
LVCMOS
包
54 FBGA
有铅（无铅）
- R（ B） G：低功耗，宽温（ -25 ° C 85°C ）
- R（ B） F：低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
2.三星没有设计或制造用于在设备或系统，该系统是根据情况使用在人的生命是可能处于危险中。
请在三星电子考虑产品所包含的任何具体使用时，接触到存储器的营销团队
目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
2004年2月
