S3C9004/P9004/C9014/P9014
电气数据
表12-8 。外部存储器时序特性（ 4兆赫）
(T
A
= – 40
°
C至+ 85
°
C，V
DD
= 4.5 V至5.5 V ）
数
1
2
3
4
5
6a
6b
7
8
9
10
11
12
13
符号
t
dA
（AS）
t
DAS
(A)
t
DAS
（ DR ）
t
是
t
dA
（ DS）的
t
WDS
（READ ）
t
WDS
（写）
t
DDS
（ DR ）
t
HDS
（ DR ）
t
DDS
(A)
t
DDS
（AS）
t
DDO
（ DS）的
t
DRW
（AS）
t
DDS
（ DW ）
参数
地址有效到
AS
↑
延迟
AS
↑
解决浮动延迟
AS
↑
读取所需的有效数据
AS
低电平宽度
地址为浮动
DS
↓
DS
（读）低宽
DS
（写）低宽
DS
↓
读取所需的有效数据
读出的数据
DS
↑
保持时间
DS
↑
到地址主动延迟
DS
↑
to
AS
↓
延迟
写数据有效到
DS
（写）
↓
延迟
R / W有效期至AS
↑
延迟
DS
↑
写数据无效延迟
正常时间（纳秒）
民
10
35
–
88
0
314
164
–
0
20
30
10
20
20
最大
–
–
140
–
–
–
–
80
–
–
–
–
–
–
注意事项：
1.所有的时间都在纳秒（ NS ），并承担4 MHz的输入频率。
2.等待状态加100 ns至3号，6A，6B和7的时间。
12-11
