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数据表
MOS集成电路
PD441000L-X
1M位CMOS静态RAM
128K -字×8位
扩展温度操作
描述
该
PD441000L -X是一款高速，低功耗， 1,048,576位（ 131,072字由8位）的CMOS静态RAM 。
该
PD441000L -X有两个芯片使能引脚（ / CE1 ， CE2 ），以扩大产能。
5
该
PD441000L -X是装在32引脚塑料SOP和32引脚塑料TSOP （ I） （ 8
×
13.4毫米）和（8
×
20 mm).
特点
131,072字由8位机构
快速访问时间： （ MAX ） 70 ， 85 ， 100 ， 120 ， 150纳秒
低电压操作
（ B版： V
CC
= 2.7 3.6 V ， C版本： V
CC
= 2.2 3.6 V ，D版本： V
CC
= 1.8 3.6 V ）
低V
CC
数据保留
（ B版： 2.0 V（ MIN ） ， C版， D版： 1.5 V（ MIN ） ）
工作环境温度：T已
A
= -25至+85°C
输出使能输入，方便应用
两个芯片使能输入： / CE1 ， CE2
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
25
+85
在工作
MA（ MAX 。 ）
25
电源电流
在待机状态
在数据保留
A（ MAX 。 ）
2
A（ MAX 。 ）
2
记
PD441000L-BxxX
PD441000L-CxxX
PD441000L-DxxX
70, 85, 100
100, 120
120, 150
2.7 3.6
2.2 3.6
为1.8 3.6
记
0.5
一（T
A
≤
40 °C)
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一号文件M13714EJ5V0DSJ1 （第5版）
发布日期2000年12月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
