AD743
HOW芯片封装类型和功率耗散
AFFECT输入偏置电流
300
如同所有的JFET输入放大器，的输入偏置电流
AD743是器件结温直接的功能，我
B
约每10 ℃的两倍。图30显示了
偏置电流和结温的关系
该AD743 。该曲线图表明，降低了结
温度将显着提高I
B
.
10
–6
T
A
= +25°C
200
θ
J A
= 165 ° C / W
100
θ
J A
= 115 ° C / W
θ
J A
= 0°C / W
10
–7
V
S
= ±15V
T
A
= + 25°C
0
5
10
电源电压 - 电压±
15
10
–8
10
–9
10
–10
图32.输入偏置电流与电源电压的
的各个值
θ
JA
10
–11
10
–12
–60 –40
–20 0
20
40 60
80 100 120 140
结温 - °C
图30.输入偏置电流与结温
一个集成电路的直流热性能可以被紧密地近似
用图31的简单模型，其中代表当前
耗散功率，电压表示温度和电阻
代表热阻（ θ单位为℃ /瓦） 。
T
J
θ
JC
θ
JA
θ
CA
图33.各种套餐A击穿热
抗性
T
A
P
IN
降低功率电源供电FOR
我低
B
其中：
P
IN
=设备损耗
T
A
=环境温度
T
J
=结温
θ
JC
=热阻 - 结到管壳
θ
CA
=热阻 - 外壳到环境
图31.器件热模型
降低电源运行降低了我
B
有两种方法：由第一
降低二者的总功耗;第二，由
减少的基本栅极到结漏（图32） 。身材
图34示出40dB的增益压电换能器的放大器，其
操作时无需AC耦合电容，工作在-40° C至
+ 85 °C温度范围。如果可选的耦合电容
使用时，该电路将工作在整个-55 ° C至+ 125°C
军用温度范围。
从这个T型
J
= T
A
+
θ
JA
引脚。因此，我
B
可以
在一个特定的应用程序通过使用图30中确定的
连同已发布数据
θ
JA
和功耗。
用户可以修改
θ
JA
通过使用一个适当的夹式热
沉如爱美达＃ 5801 。
θ
JA
也是当使用可变
在AD743芯片的形式。图32示出了偏置电流对
与电源电压
θ
JA
作为第三个变量。该曲线图中可以
用来预测以后的偏置电流
θ
JA
已经计算。再次
偏置电流将增加一倍，每10 ℃。用设计师
AD743的芯片状（图33）也必须与有关
两
θ
JC
和
θ
CA
由于
θ
JC
可受到模具的型
安装技术使用。
通常情况下，
θ
JC
的将在3℃ 5 ℃/瓦的范围内;因此，
为正常的包，这种小功率耗散水平可以是
忽略不计。但是，具有大的混合型衬底，
θ
JC
将主导
成比例地更多的总的
θ
JA
.
图34.压电换能器
