SSM3J01F
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型
SSM3J01F
高速开关应用
·
·
·
小型封装
低导通电阻： RON = 0.4
（最大值） （Ⅴ
GS
=
4
V)
： RON = 0.6
（最大值） （Ⅴ
GS
=
2.5
V)
低栅极阈值电压
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
脉冲
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-30
±10
-700
-1400
200
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
TO-236MOD
SC-59
2-3F1F
重0.012克（典型值）
记号
等效电路
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
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2003-03-27
