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初步数据表
MOS集成电路
PD45128441 -Ⅰ ， 45128841 -Ⅰ ， 45128163 -我
128M位同步DRAM
4银行， LVTTL
WTR （宽温度范围）
描述
该
PD45128441 ， 45128841 ， 45128163顷高速134217728位的同步动态随机存取
回忆，组织为8,388,608
×
4
×
4, 4,194,304
×
8
×
4, 2,097,152
×
16
×
4 （字
×
位
×
银行）表示。
同步DRAM的实现使用流水线架构的高速数据传输。
所有输入和输出都与时钟的上升沿同步。
该同步DRAM与低电压TTL （ LVTTL ）兼容。
这些产品被包装在54针TSOP （ II ） 。
特点
完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿
脉冲接口
可以断言随机列地址在每个周期中
由BA0 （ A13）和BA1控制四内部银行（ A12 ）
字节控制（ × 16） LDQM和UDQM
可编程的缠绕顺序（顺序/交织）
可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）
可编程/ CAS等待时间（ 2和3）
环境温度（T
A
):
40
至+ 85°C
自动预充电和预充电控制
CBR （自动）刷新和自刷新
×4, ×8, ×16
组织
采用3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL兼容的输入和输出
4096刷新周期/ 64毫秒
突发终止突发停止命令和预充电命令
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
供应及其他信息。
一号文件E0233N10 （版本1.0 ）
发布日期2001年11月（ K）亚帕
C
尔必达内存方面， 2001年公司
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
