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256MB ， 512MB无缓冲DIMM
DDR SDRAM IDD规格表
M368L3223FTN [ （ 32M * 8 ） * 8 ， 256MB ECC非模块]
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7A
720
920
24
240
200
280
440
1,280
1,280
1,360
24
12
2,240
720
920
24
200
185
240
360
1,120
1,080
1,280
24
12
2,240
640
840
24
200
185
240
360
1,120
1,080
1,280
24
12
2,080
640
840
24
200
185
240
360
1,120
1,080
1,280
24
12
2,080
DDR SDRAM
(V
DD
= 2.7V ， T = 10 ° C）
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
可选
笔记
B3 （ DDR333@CL=2.5 ） AA （ DDR266 @ CL = 2 ）， A2 （ DDR266 @ CL = 2 ）， B0 （ DDR266@CL=2.5 ）
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
M381L3223FTM [ （ 32M * 8 ） * 9 ， 256MB ECC模块]
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
正常
低功耗
IDD7A
810
1,035
27
270
225
320
500
1,440
1,440
1,530
27
14
2,520
810
1,035
27
225
210
270
410
1260
1,220
1,440
27
14
2,520
720
950
27
225
210
270
410
1260
1,220
1,440
27
14
2,340
720
950
27
225
210
270
410
1,260
1,220
1,440
27
14
2,340
(V
DD
= 2.7V ， T = 10 ° C）
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
可选
笔记
B3 （ DDR333@CL=2.5 ） AA （ DDR266 @ CL = 2 ）， A2 （ DDR266 @ CL = 2 ）， B0 （ DDR266@CL=2.5 ）
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
修订版1.2 2004年5月
