P沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
V
GS
SFW/I9630
如图2传输特性
[A]
-I
D
，漏电流
[A]
10
1
-I
D
，漏电流
- 15 V
- 10 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
下图： - 4.5 V
上图：
10
1
10
0
10
0
150
o
C
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
- 55 C
o
@注意事项：
1. 250
s脉冲测试
2. T = 25
o
C
C
10
-1
10
-1
0
10
2. V = -40 V
DS
3. 250
s脉冲测试
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
-V
DS
，漏源电压[V]
-V
GS
，栅源电压[V]
R
DS （ ON）
, [ ]
漏源导通电阻
图3.导通电阻与漏电流
2.5
[A]
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
-I
DR
，反向漏电流
2.0
10
1
1.5
V = -10 V
GS
1.0
10
0
150
o
C
25
o
C
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. 250
s脉冲测试
0.5
V
GS
= -20 V
0.0
0
4
8
12
16
20
24
@注： T = 25
o
C
J
10
-1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
-I
D
，漏电流[ A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
C
国际空间站
= C
gs
+ C ( C
ds
=短路）
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
图6.栅极电荷与栅源电压
[V]
1500
[ pF的]
C
国际空间站
1000
C
RSS
= C
gd
-V
GS
，栅源电压
10
V
DS
= -40 V
V
DS
= -100 V
V
DS
= -160 V
电容
C
OSS
@注意事项：
1. V = 0 V
GS
2. F = 1 MHz的
5
500
C
RSS
@注： I = -6.5一
D
0
0
5
10
15
20
25
30
0
10
0
1
10
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
