P沟道
功率MOSFET
看图1，输出特性
1
1
0
上图：
V
GS
-1 V
5
-1 V
0
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
下图： - 4.5 V
SFW/I9510
如图2传输特性
1
1
0
-I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
-I
D
，漏电流[ A]
1
0
0
1 5
o
C
7
2
o
C
5
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 V =-0V
.
DS
4
3 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
6
8
1
0
1
-1
0
1
-1
0
1
0
0
@Nts ：
oe
1 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
2 T = 2
o
C
.
C
5
1
1
0
- 5
o
C
5
1
-1
0
2
4
-V
DS
，漏源电压[V]
-V
GS
，栅源电压[V]
图3.导通电阻与漏电流
5
图4.源极 - 漏极二极管正向电压
-I
DR
，反向漏电流[ A]
1
1
0
R
DS （ ON）
, [
]
漏源导通电阻
4
3
V =-0V
1
GS
2
1
0
0
1 5
o
C
7
2
o
C
5
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 2 0
S·P升（E T） s
. 5
美国东部
20
.
25
.
30
.
35
.
40
.
1
V =-0V
2
GS
0
0
2
4
6
8
@ N T： T = 2
o
C
oe
J
5
1
0
1
2
1
4
1
-1
0
05
.
10
.
15
.
-I
D
，漏电流[ A]
-V
SD
，源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容与漏源电压
50
0
C = C + C（ C = SOTD ）
ISS GS GD
ds
H·R ê
C =C +C
OSS DS GD
C =C
RSS GD
C
国际空间站
30
0
图6.栅极电荷与栅源电压
-V
GS
，栅源电压[V]
40
0
1
0
电容[ pF的]
V =-0V
2
DS
V =-0V
5
DS
V =-0V
8
DS
20
0
C
OSS
10
0
C
RSS
@Nts ：
oe
1 V =0V
.
GS
2 F = 1MZ
.
H
5
@Nts ： I = 36A
oe
D
-.
0
0
2
4
6
8
1
0
0
0
1
0
1
1
0
-V
DS
，漏源电压[V]
Q
G
，总栅极电荷[ NC ]
