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ADR293
工作原理
器件的功耗注意事项
该ADR293采用公知的新的参照生成技术
作为XFET ，这将产生低噪声基准，低价供应
电流和非常低的热迟滞。
在XFET基准的核心由两路口现场
其中，场效应晶体管1有一个额外的沟道注入到
提高其夹断电压。通过运行两个JFET的处
相同的漏电流，在夹断电压的差值可以是
放大并用于形成高度稳定的参考电压。
的固有参考电压约为0.5伏以负
约-120 ppm的/ K的温度系数。这是坡
基本上锁定到硅的介电常数，并且可以是
通过添加在生成的校正项密切补偿
以同样的方式作为比例对温度（ PTAT）的
长期用于补偿带隙基准源。大研华
踏歌超过带隙基准是内在的温度
较低的系数是一些30倍（因此不太修正
需要的话） ，这导致低得多的噪声，因为大多数的
的带隙基准的噪音来自于温度的COM
补偿电路。
下面的简化示意图显示的基本拓扑结构
ADR293 。温度校正项是由一个设置
电流源的值设计成成比例abso-
琵琶温度。一般的公式是：
R
1
+
R
2
+
R
3
V
OUT
=
V
P
+
I
PTAT
R
3
R
1
该ADR293是保证递送负载电流5mA电流
的输入电压范围从5.5 V至15V。当此
装置使用于具有大的输入电压，护理应用
应该行使，以避免超出已发布的规范
系统蒸发散的最大功耗和结温
这可能会导致过早的设备故障。以下
式应该被用于计算设备的最大junc-
化温度或功耗：
P
D
=
T
J
T
A
θ
J
A
在这个等式中，
T
J
和
T
A
是结点和环境温
peratures ，分别P
D
是设备的功耗，并
θ
JA
是器件封装热阻。
基本的参考电压连接
参考文献，在一般情况下，需要一个旁路电容器，连接
从V
OUT
引脚与GND引脚。该电路在图19中
示出了用于ADR293的基本配置。注意
不要求对电路稳定性的去耦电容。
NC
输入
2
7
NC
产量
+
10 F
NC
0.1 F
4
5
NC =无连接
NC
3
6
0.1 F
1
8
NC
(
)( )
ADR293
哪里
V
P
是在这两者之间夹断电压的差
FET和
I
PTAT
是正温度系数修正
电流。
用于XFET参考流程还采用了垂直
NPN和PNP晶体管，其中后者被用作输出
设备提供了非常低的压差电压。
V
IN
I
1
I
1
图19.基本的参考电压配置
噪声性能
由ADR293所产生的噪声是通常小于
15
μVp -P
在0.1 Hz至10 Hz频带。噪声测量
精神疾病是由具有由2极的高通的带通滤波器
具有转角频率为0.1赫兹和2极的低通滤波器
过滤，角频率为10赫兹。
开启时间
*
V
P
R1
V
OUT
I
PTAT
R2
当施加功率（冷启动）的，所需要的时间
输出电压到指定的误差范围内达到最终值
波段被定义为导通的稳定时间。两个组件
通常与此相关联;时间为有源电路
沉降，时间为热梯度芯片上
稳定。图13显示了典型的导通时间为
ADR293.
R3
GND
R3
*
EXTRA沟道注入
V
OUT
R1 R2 R3
R1
V
P
I
PTAT
图18.原理示意图
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