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A43E06321
简化的真值表
命令
CKEN - 1 CKEN
CS
RAS
CAS
WE
DQM BA A10
/ AP
A9~A0
笔记
注册
模式寄存器设置
H
H
X
X
H
L
H
X
X
X
X
X
L
H
L
H
L
L
L
L
L
L
L
H
X
L
H
H
H
L
H
X
X
H
X
V
X
X
H
X
H
X
L
L
L
H
X
H
L
L
H
H
H
X
X
H
X
V
X
H
X
H
X
L
L
H
H
X
H
H
L
L
L
H
X
X
H
X
V
X
H
X
L
X
X
L
X
X
X
X
X
X
V
V
V
V
操作码
操作码
X
X
行地址。
L
COLUMN
地址。
COLUMN
地址。
X
L
H
X
X
1,2
1,2
3
3
3
3
4
4
4,5
4
4,5
6
扩展模式寄存器设置
刷新
自动刷新
自
刷新
银行主动&行地址。
阅读&
自动预充电禁用
列地址。自动预充电启动
写&
自动预充电禁用
列地址。自动预充电启动
突发停止
预充电
银行的选择
两家银行
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电模式
出口
DQM
没有操作命令
深断电进入
深度掉电退出
条目
出口
H
L
H
H
H
H
H
H
L
H
L
H
H
H
L
H
L
L
L
L
L
L
H
X
L
H
L
H
L
H
L
X
H
L
H
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
X
X
X
X
8
7
X
L
H
（V =有效， X =无所谓，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意：
1. OP代码：操作数代码
A0 A10 ， BA ：程序键。 （ @MRS ， EMRS ）
2.黄只能发出时，所有银行都在预充电状态。
一个新的命令后，刘健， EMRS 2个时钟周期发出。
3.自动刷新的功能是相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然由“自动”的意思。
自动/自动刷新能发出只有当所有银行都在预充电状态。
4. BA ：银行选择地址。
5.在突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
可以在每一个突发长度发出另一家银行的读/写命令。
6.胸围停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样的一个CLK的掩模的数据中在非常CLK的正边沿（写入DQM延迟为0）
但屏蔽了数据输出高阻状态后2 CLK周期。 （读DQM延迟2 ）
8.在深度掉电模式退出，所述存储器设备的一个完整的新的初始化是必需的。
初步
（ 2005年7月，版本0.0 ）
8
AMIC技术股份有限公司
