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A43E06161
页读&写周期AT同一银行@BURST长度= 4
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时钟
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CKE
高
CS
t
RCD
RAS
*注2
CAS
ADDR
Ra
Ca0
Cb0
Cc0
Cd0
BA
A10/AP
Ra
t
CDL
t
RDL
WE
*注2
*Note1
DQM
*Note3
DQ
(CL=2)
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
DQ
(CL=3)
Qa0
Qa1
Qb0
Dc0
Dc1
Dd0
Dd1
行活动
（A银行）
读
（A银行）
读
（A银行）
写
（A银行）
写
（A银行）
预充电
（A银行）
：无所谓
*注意：
1.要编写突发读取结束前的数据， DQM应置3周前写命令，以避免总线冲突。
2.行预充电将中断写作。最后的数据输入，T
RDL
行预充电之前，将被写入。
一阵年底前声称预充电时， 3 DQM应掩盖对预充电命令周期无效的输入数据。输入数据
之后行预充电周期将在内部屏蔽。
初步
（ 2005年7月，版本0.1 ）
25
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