初步
CAT33C804A
1000 0011
抹去
CLEAR MEMORY
1100 0000
1100 0000
[A15–A8] [A7–A0]
（ x8组织的）
[A7–A0]
（ x16组织）
覆盖为下一条指令的内存保护。
读
阅读记忆
1100 1001
1100 1001
[A15–A8] [A7–A0]
（ x8组织的）
[A7–A0]
（ x16组织）
输出被寻址的存储器位置的内容
到串行端口。
写
写存储器
1100 0001
1100 0001
[ A15 -A8 ] [ A7 -A0 ] [ D7 -D0 ]
（ x8组织的）
[ A7 -A0 ] [ D15- D8 ] [ D7 -D0 ]
（ x16组织）
擦除指定的存储单元数据（存储集
为“1” ） 。指令和地址后已
输入，所述自定时明确循环将开始。 DO引脚
可以通过具有用于输出中的RDY / BUSY状态
先前输入的ENSBY指令。在
清晰的周期， DO将输出一个低电平为繁忙的这段
周期与周期后高的准备已经
完成。
ERAL
ALL CLEAR
1000 1001
1000 1001
写入的8位或16位的数据到被寻址的存储器
位置。的指令后，地址和数据有
被输入，该自定时编程/擦除周期将
开始。被寻址的内存位置将被删除
之前的数据被写入。 DO引脚可用于输出
由以前具有RDY / BUSY状态进入
ENBSY指令。在编程/擦除周期， DO
将输出一个低电平为繁忙的这段周期和高
为就绪后的循环已经完成。
清除所有内存位置的所有单元格设置为数据（
“1”） 。为了防止意外的芯片清楚，
需要ERAL指令被输入两次。
图16. WRAL时序（ X8格式）
CS
操作码
OP0–OP7
DI
TEW
DO
高-Z
BUSY(1)
33C804 F17
操作码
OP0–OP7
数据
D0–D7
下一条指令
图17. WRAL时序（ X16格式）
CS
操作码
OP0–OP7
DI
TEW
DO
高-Z
BUSY(1)
33C804 F18
操作码
OP0–OP7
数据
D8–D15
数据
D0–D7
下一条指令
注意：
（ 1）不要变低，表示忙碌状态，如果先前执行的ENBSY了。如果ENBSY以前未执行， DO将在
高阻状态。
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文档。 25044-00 2/98号
