位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1166页 > AT83C5111-TDRIL > AT83C5111-TDRIL PDF资料 > AT83C5111-TDRIL PDF资料1第69页
AT8xC5111
EPROM
EPROM编程
EPROM擦除
（包窗
只）
擦除特性
具体的算法实现，使用合格的器件编程器来自第三方
供应商。
擦除EPROM擦除码阵列，该阵列的加密和锁定位的报税表中
荷兰国际集团的部件的全部功能。
叶擦除所有的EPROM单元在1的状态（ FF ） 。
推荐的擦除过程是暴露于紫外光（ 2537埃）至一个
综合剂量至少15 W-秒/厘米
2
。露出的EPROM的紫外灯
12,000
μW /厘米
2
等级30分钟后，在约25毫米的距离，就足够了。
1小时的曝光，建议与大多数标准橡皮擦。
对EPROM的擦除开始时，芯片被暴露于光以波长发生
长度超过约4000较短。由于阳光和荧光灯有
在这个波长范围内，暴露于这些光源在延长的时间（约
1周的阳光，或3年的房间级荧光灯）可能会导致意外的
擦除。如果一个应用程序受试者的装置，这种类型的曝光，建议
该不透明的标签被放置在该窗口。
签名字节
签名字节内容
该AT8xC5111有四个签名字节的位置30H， 31H ， 60H和61H 。阅读
这些字节遵循EPROM签名字节读程序。表56显示了
签名字节为AT8xC5111的内容。
表1中。
签名字节内容
位置
30h
31h
60h
60h
61h
目录
58h
57h
2Eh
爱德华
EFH
评论
制造商代码：爱特梅尔
家庭法： C51 X2
产品名称： AT8xC5111 4K ROM版本
产品名称： AT8xC5111 4K OTP版本
产品版本号： AT8xC5111 Rev.0
69
4190A–8051–11/02
