400
50
T
j
= 25°C
C2V7
C3V9
C5V6
C6V8
C3V3
C4V7
P
d
，功耗（毫瓦）
300
I
Z
，齐纳电流（毫安）
40
C8V2
30
200
20
100
10
测试电流I
Z
5.0mA
0
0
100
200
0
0
1
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 1功率降额曲线
3
4
5
6
8
9
7
V
Z
齐纳电压（V）
图。 2齐纳击穿特性
2
10
30
T
j
= 25°C
C10
C12
10
TJ = 25°C
C39
C47
C43 C51
I
Z
，齐纳电流（毫安）
20
C15
I
Z
，齐纳电流（毫安）
8
6
测试电流I
Z
5mA
C18
10
测试电流I
Z
5mA
C22
C27
C33
C36
4
2
0
0
10
20
30
V
Z
齐纳电压（V）
图。 3齐纳击穿特性
40
0
10
30 40 50 60 70 80 90 100
V
Z
齐纳电压（V）
图。 4齐纳击穿特性
20
1000
T
j
= 25 °C
C
T
，总电容（PF ）
V
R
= 1V
V
R
= 2V
100
V
R
= 1V
V
R
= 2V
10
1
10
100
V
Z
，额定齐纳电压（ V）
图。 5总电容VS额定齐纳电压
DS18003修订版3 - 2
3 3
www.diodes.com
AZ23C2V7-AZ23C51
