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256MB ， 512MB ， 1GB无缓冲的SODIMM
工作电流表（ 1-1 ）
(T
A
=0
o
C， VDD = 1.9V ）
M470T6554BG （ Z） 3 / M470T6554BG （ Z） 0 ： 64Mx64 512MB模块
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2Q
IDD2N
IDD3P-F
IDD3P-S
IDD3N
IDD4W
IDD4R
IDD5B
IDD6
IDD7
CD5
(DDR533@CL=4)
760
860
64
200
240
240
120
560
1,200
1,100
1,060
44
1,840
LD5
(DDR533@CL=4)
460
560
64
200
200
120
120
260
700
700
860
40
1,060
CCC
(DDR400@CL=3)
720
760
64
200
240
240
120
520
1,000
940
1,000
44
1,760
DDR2 SDRAM
LCC
(DDR400@CL=3)
460
520
64
200
200
120
120
260
700
700
860
40
1,060
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
M470T3354BG （ Z） 3 / M470T3354BG （ Z） 0 ： 32Mx64 256MB模块
符号
IDD0
IDD1
IDD2P
IDD2Q
IDD2N
IDD3P-F
IDD3P-S
IDD3N
IDD4W
IDD4R
IDD5B
IDD6
IDD7
CD5
(DDR533@CL=4)
480
580
32
100
120
120
60
280
920
820
780
22
1,560
LD5
(DDR533@CL=4)
360
460
32
100
100
60
60
160
600
600
760
20
960
CCC
(DDR400@CL=3)
460
500
32
100
120
120
60
260
740
680
740
22
1,500
LCC
(DDR400@CL=3)
360
420
32
100
100
60
60
160
520
520
760
20
960
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
笔记
*模块IDD计算部件IDD的基础上并根据DQ加载帽可以不同地进行测定。
修订版1.5 2005年08月
