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t
PLH1
MCLK
MCLKD2
t
IOHL1
THMC1
THMC2
TSCTL
MEMCSO
t
PLH2
地址
数据
t
HLZ2
RWR
t
SHL1
t
OOZL1
t
HLZ1
t
PW1
符号
参数
民
0
-5
最大
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
SHL1
t
OOZL11,2
t
HLZ1
t
HLZ2
t
PW1
t
PLH1
t
PLH2
t
IOHL1
1
2
地址有效到RWR ↓
RWR ↓到DATA有效NON- RAD
拉德
（地址设置） THMC2-10 THMC2 + 5
1
RWR ↑到DATA高阻
（数据保持）
THMC1-10 THMC1 + 10
RWR ↑为了解决高阻抗
（地址保持） THMC1-10 THMC1 + 10
RWR ↓
to
RWR ↓
MCLK - 10 MCLK + 5
MCLK ↑到MCLKD2 ↑
0
40
MCLK ↑到TSCTL / MEMCSO ↓
0
40
MCLK ↑
to
RWR ↓
0
60
注意：
1.保证通过考试
2.前和照射后限制。
图28. BCRTM DMA写时序（一个字写）
BCRTM-45
