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K4N26323AE-GC
DC特性
推荐工作条件，除非另有说明，T
j
= 0至100
°
C)
128M GDDR2 SDRAM
VERSION
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
预充电待机电流
在非掉电模式
主动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
在非掉电模式
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
工作电流
（ 4Bank交错）
符号
测试条件
-20
I
CC1
I
CC2
P
I
CC2
N
I
CC3
P
I
CC3
N
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
突发Lenth = 4
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
OL
=0mA,
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（ MIN）
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≥
VIH （MIN） ， CS
≥
VIH （ min）的
t
CC
=
t
CC
（分钟）
I
OL
= 0毫安，
t
CC
=
t
CC
（ MIN）
页突发，所有银行激活。
590
110
230
110
510
1200
370
-22
540
100
210
100
470
1100
350
7
1400
1300
1180
-25
500
95
190
95
430
990
330
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2
1
单位注
t
RC
≥
t
RFC
CKE
≤
0.2V
突发Lenth = 4
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
OL
=0mA,
t
CC
=
t
CC
（分钟）
注意：
1.测量与产出开放&片上终结了。
2.刷新周期是16毫秒。
AC输入工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
=0V, V
DD
=2.5V
±
0.1V, V
DDQ
=1.8V
±
0.1V ，T
j
= 0至100
°C)
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压; DQ
输入低电平（逻辑0 ）电压; DQ
时钟输入差分电压; CK和CK
时钟输入交叉点电压; CK和CK
符号
V
IH
V
IL
V
ID
V
IX
民
V
REF
+0.25
-
0.5
0.5*V
DDQ
-0.2
典型值
-
-
-
-
最大
-
V
REF
-0.25
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
单位
V
V
V
V
记
1
2
3
4
注意：
1. V
IH
（ MAX）= 4.2V 。过冲电压持续时间为<为3ns在VDD 。
V
IH
等级应满足在DRAM的引脚，当ODT = ON 。
2. V
IL
（最小值） = -1.5V 。下冲电压持续时间为<为3ns的VSS 。
V
IL
等级应满足在DRAM的引脚，当ODT = ON 。
3. V
ID
是在CK上的输入电平之间的差的量值和CK的输入电平
4. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平
DRAM
DRAM的ODT
VDDQ
调节器
输入电平应测量
这一点
VSSQ
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修订版1.7 （ 2003年1月）
