飞思卡尔半导体公司
在正常模式下表1.功能真值表
条件
睡觉
正常
CONF INHS
x
L
x
H
国际有毒
x
H
OUT
x
H
GLS
x
H
FS
EN
L
H
评论
器件处于休眠模式。 OUT和
低侧栅极为OFF 。
正常模式。高压侧和低压侧的
独立地进行控制。偏高
而低端都对。
正常模式。高压侧和低压侧的
独立地进行控制。偏高
和低压侧都处于关闭状态。
正常模式。无交叉传导。半
桥配置。偏高是关
和低侧上。
正常模式。无交叉传导。半
桥配置。偏高是
和低侧处于关闭状态。
正常模式。跨导
管理被激活。半桥
配置。
H
H
正常
L
L
L
L
L
H
H
正常
H
L
H
L
H
H
H
飞思卡尔半导体公司...
正常
H
H
L
H
L
H
H
正常
H
PWM
H
PWM
PWM
或H
（逻辑
OR）
H
H
H =高电平
L =低电平
X =无关
= PWM脉冲宽度调制
在故障模式表2.功能真值表
条件
过热
在OUT
CONF
x
INHS
x
国际有毒
x
OUT
L
GLS
x
FS
EN
H
TEMP CSNS OCLS
L
x
x
评论
目前33981的故障模式。该
输出为OFF 。 TEMP在0 V表示这
故障。一旦故障排除33981
恢复其正常模式。
目前33981的故障模式。该
输出为OFF和GLS的是在0V的TEMP在
0 V表示此故障。一旦该故障是
除去33981恢复其正常模式。
目前33981的故障模式。该
输出为OFF 。它是由一个逻辑[0] ，在复位
INHS为至少200
s.
当INHS去
到0V， CSNS进到5.0V。
目前33981的故障模式。 GLS
为0 V和OCLS内部电流源
是关闭的。连接外部电阻
OCLS与GND端子之间会拉
OCLS终端为0 V的故障是由复位
一个逻辑[0] ，在国际有毒为至少200
s.
L
过热
基于C
BOOT
或GLS
x
x
x
L
L
L
H
L
x
x
过电流
在OUT
x
H
x
L
x
L
H
x
L
x
超载
在外部低收入
侧MOSFET
L
x
H
x
L
L
H
x
x
L
H =高电平
L =低电平
X =无关
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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