CY7C1338F
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在三态....................................... -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压....................................- 0.5V至V
DD
+ 0.5V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
]
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD
V
DDQ
3.3V
5%/+10%
2.5V –5%
到V
DD
电气特性
在整个工作范围
[8, 9]
CY7C1345F
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低
电压
[8]
V
DDQ
= 3.3V, V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DDQ
= 2.5V, V
DD
=最小值，我
OH
= -1.0毫安
V
DDQ
= 3.3V, V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
V
DDQ
= 2.5V, V
DD
=最小值，我
OL
= 1.0毫安
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
输入负载电流
（ ZZ和模式除外）
模式的输入电流
ZZ的输入电流
I
OZ
I
OS
I
DD
输出漏电流
输出短路电流
V
DD
工作电源电流
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
输入= V
SS
输入= V
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
GND
≤
V
I
≤
V
DD
，输出禁用
V
DD
=最大，V
OUT
= GND
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
7.5 ns的周期， 133
兆赫
8.0 ns的周期， 117兆赫
10 ns的周期， 100兆赫
15 ns的周期， 66兆赫
I
SB1
CE自动断电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中， 7.5纳秒的周期， 133
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大
，兆赫
输入开关
8.0 ns的周期， 117
兆赫
10 ns的周期， 100兆赫
15 ns的周期， 66兆赫
I
SB2
CE自动断电
目前， CMOS输入
最大。 V
DD
，设备选中，所有速度
V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
F = 0 ，输入静态
–5
–5
30
5
–300
225
220
205
195
90
85
80
60
40
2.0
1.7
–0.3
–0.3
5
–30
5
测试条件
分钟。
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
马克斯。
3.6
V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
阴影区域包含预览。
注意事项：
8.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 1.5V （脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
IL
交流（AC） > -2V （脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
9.
TPOWER向上
：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）在200ms以内。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD.
文件编号： 38-05218修订版**
第8页17
