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DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
概述
DDR SDRAM
16M X 4Bit的×4银行/ 8M X 8位×4银行银行双倍数据速率SDRAM
该K4H560438E / K4H560838E /是268435456位的组织为4X 16785216 / 4X双数据速率同步DRAM
8388608字4 / 8位，制造与三星的高性能CMOS技术。有数据选通同步功能
允许极高的性能高达333MB / s的每个引脚。 I / O交易可能在DQS的两边。操作频范围
quencies ，可编程脉冲串长度和可编程延迟允许该设备可用于各种高性能MEM-有用
储器系统的应用程序。
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
＆放大器; V
DDQ
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
1.5
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐的操作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
参数
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
符号
V
DD
V
DDQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
六， （比）
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
民
2.3
2.3
0.49*VDDQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.36
0.71
-2
-5
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51*VDDQ
V
REF
+0.04
V
DDQ
+0.3
V
REF
-0.15
V
DDQ
+0.3
V
DDQ
+0.6
1.4
2
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
-
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
电源电压（为设备标称V
DD
2.5V的）
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O端子电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入的电压电平， CK和CK输入
输入差分电压， CK和CK输入
V-I匹配：上拉下拉流动比率
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流（普通strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
+ 0.84V
输出高电流（普通strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
- 0.84V
输出高电流（半strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
+ 0.45V
输出高电流（半strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
- 0.45V
1
2
3
4
注意：
1.VREF预计是等于0.5 * VDDQ传送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。
峰峰值在VREF的噪音不得超过直流值的+/- 2 ％ 。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置为等于
V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK上的输入电平之间的差的量值。
4.所述上拉电流的下拉电流的比率被指定为相同的温度和电压，在整个
温度和电压范围内，器件漏源电压从0.25V到1.0V 。对于给定的输出，它代表
上拉和下拉驱动器由于工艺变化之间的最大区别。中的比例的变化全
最大最小上拉和下拉电流将不超过1/7为设备漏极到源极的电压为0.1 1.0。
， 2005年修订版1.3月
