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DDR SDRAM 256Mb的电子芯片（ X4，X8 ）
IBIS ： I / V特性的输入和输出缓冲器
DDR SDRAM输出驱动器V -I特性
DDR SDRAM
DDR SDRAM输出驱动器特性定义了完整的半强度操作的选择由EMRS位A1 。
图3和图4示出了驱动器的特点图形，和表8和表9示出了表格格式相同的数据适合于输入
进入仿真工具。驾驶员特性的影响的评价条件为：
典型
最低
最大
25×C
70×C
0×C
VDD / VDDQ = 2.5V ，典型工艺
VDD / VDDQ = 2.3V ，慢慢的过程
VDD / VDDQ = 2.7V ，速度快，快速的过程
输出驱动器特性曲线注：
1.在从最小到最大的过程中，温度和电压的驱动器的电流的全部变化将位于外边界线内
在图3和图4的V-I曲线。
2.建议的是，图3和图4的VI曲线的内边界线内的"typical" IBIS VI曲线谎言。
3.在"typical" IBIS拉至"typical" IBIS下拉电流的比值的完整变化应该是统一
+/-
的10％ ，对设备的漏
0.1 to1.0源极电压。该规范只是一个设计目标。它不能保证。
160
IOUT （MA ）
140
120
100
80
最大
典型的高
典型的低
60
40
20
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
最低
上拉电阻特性全部力量输出驱动器
Vout的（V）的
0 .0
0
-20
-40
1 .0
2 .0
IOUT （MA ）
-60
-80
-100
-120
-140
-160
-180
-200
-220
Minumum
典型的低
典型的高
最大
下拉特性全部力量输出驱动器
Vout的（V）的
图3的I / V特性为输入/输出缓冲器：上拉（上图）和下拉（下）
， 2005年修订版1.3月
