飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
PHP37N06LT ， PHB37N06LT ， PHD37N06LT
1000
45
RDS （ ON） /毫欧
VGS / V =
4
4.2
4.4
ID / A
RDS （ ON）= VDS / ID
TP =
1美国
10us
40
100
35
10
DC
100美
1毫秒
10ms
100ms
1
1
10
VDS / V
100
4.6
4.8
5
30
25
0
10
20
30 ID / A
40
50
60
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
第Z / （K / W）
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
70
ID / A
60
50
10
1 0.5
40
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0
0.01
1.0E-06
0.0001
0.01
T / S
1
100
T
t
P
D
t
p
D=
t
p
T
30
20
10
TJ / C =
0
0
1
175
2
3
25
VGS / V
4
5
6
7
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
漏极电流ID （ A）
100
10
7
80
5.0
4.6
VGS = 6.0 V
5.6
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
跨导， GFS （ S）
30
25
60
20
40
4.0
3.6
15
20
3.0
10
0
0
2
4
6
8
漏 - 源电压， VDS （V ）
10
5
0
10
20
30
40
50
漏极电流ID （ A）
60
70
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
1998年9月
4
启1.400
