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飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
BUK436W-200A/B
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第i个J- MB / （K / W）
BUKx56-lv
1
D=
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
0
t
p
t
p
T
t
1E+01
0.01
D=
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.001
1E-05
1E-03
T / S
T
1E-01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
20
10
30
BUK456-200A
7
6
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
40
20
VGS / V =
10
4
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
5
0
0
2
4
6
8
10 12
VDS / V
14
16
18
20
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
ID / A
=
N)
(O
DS
VD
S
/ ID
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /欧姆
BUK456-200A
100
BUK436-200A,B
TP = 10我们
1.0
0.8
100美
4
4.5
5
VGS / V =
5.5
R
10
A B
DC
0.6
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
6
0.4
7
10
0.2
0.1
1
10
100
VDS / V
1000
0
0
10
20
ID / A
30
40
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1997年7月
3
启1.000
