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NX29F010
1M - BIT （ 128K ×8位）
CMOS ，仅5.0V
ULTRA -FAST扇形FLASH MEMORY
特点
超快速的性能
- 35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和90 ns（最大值） 。访问时间
温度范围
- 商业0
o
c-70
o
c
- 工业-40
o
c-85
o
c
单5V -只有电源
- 5V ±10 ％的读取，编程和擦除
CMOS低功耗
- 20毫安（典型值）读操作工作电流
- 30毫安（典型值）编程/擦除电流
兼容JEDEC标准引脚排列
- 32引脚DIP ， PLCC ， TSOP
程序/功能兼容AM29F010
- 无系统固件的变化
- 使用相同的PROM程序设计师的算法
灵活的部门架构
- 清除所有8统一部门或整片擦除
- 使用PROM扇区保护/解除保护
编程设备
100,000编程/擦除周期
嵌入式算法
- 自动程序和数据验证
指定的地址
- 自动计划和擦除芯片或任何
指定的部门
数据/轮询和切换位
- 检测编程或擦除周期完成
2000年6月
描述
该
NexFlash
NX29F010是1兆位（ 131,072字节）
5.0V单只扇区的闪存。该NX29F010
提供在系统编程与标准体系
5.0V -仅Vcc电源，并且可以编程或擦除
标准PROM编程器。
该NX29F010提供了访问时间35 ， 45 ， 55 ， 70 ，和
90纳秒，允许高速控制器和DSP “操作
无需等待。字节宽度的数据出现在DQ0 - DQ7 。
单独的芯片使能（CE ），写使能（WE ） ，并输出
启用（ OE ）控制消除了总线争用。
功耗也大大降低了系统的时
器件进入待机模式。
该器件采用32引脚PLCC ， TSOP和PDIP
包。
操作原理
只有一个单一的5.0V电源需要同时读取和
写功能。编程或擦除操作不需要
12.0V V
PP
。内部产生，调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
JEDEC单电源闪存标准。命令
使用标准微量写入到命令寄存器
处理器的写时序。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和
擦除操作。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
在执行程序命令序列调用
嵌入式程序算法，内部算法
自动时间的编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
本文件包含的初步数据。 NexFlash保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们
承担可能出现在本出版物中的任何错误不承担任何责任。 版权所有1998年， NexFlash技术公司..
NexFlash技术公司
NXPF001F-0600
06/22/00
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