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A82DL16x4T （ U）系列
堆叠多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM ，
A82DL16x4T （ U） 16兆位（ 2Mx8位/ 1Mx16位） CMOS 3.3伏只，
同时操作闪存和4M （ 256Kx16位）静态RAM
初步
特色鲜明
MCP特点
单电源工作2.7至3.6伏
高性能
- 存取时间快为70ns
包69球TFBGA （ 8x11x1.4毫米）
工业工作温度范围： -40 ° C至85°C
为-U ; -25°C至85°C的-I
-
暂停擦除操作，使编程
同一家银行
数据
轮询和切换位
-
提供的检测状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
-
发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/
忙
输出（ RY /
BY
)
- 硬件检测方法编程或擦除周期
竣工
硬件复位引脚（
RESET
)
- 硬件复位内部状态机的方法
读取阵列数据
WP
/ ACC输入引脚
- 写保护（
WP
）功能可保护2
最外层的引导扇区，无论部门保护
状态
- 加速度（ ACC ）功能，加快项目进度
扇区保护
- 硬件锁定的扇区的方法，无论是在系统或
使用编程设备，以防止任何程序
或部门内部擦除操作
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
闪光灯功能
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行，而读
执行擦除/编程功能的其他银行
- 读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 可提供不同大小的银行三大设备（参见
表2）
包
-
69球TFBGA （ 8x11x1.4毫米）
顶部或底部启动块
在0.18微米制程技术制造的
- 兼容AM42DL16x4D设备
兼容JEDEC标准
-
引脚排列和软件，单电源兼容
闪存标准
性能特点
高性能
-
存取时间快为70ns
-
节目时间：为7μs /字典型的利用加速
功能
超低功耗（典型值）
-
在1MHz 2毫安有效的读电流
-
在5MHz 10毫安有效的读电流
-
为200nA待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
-
可靠运行的系统的寿命
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
擦除暂停/删除恢复
LP SRAM特点
电源电压范围： 2.7V至3.6V
访问时间： 70 ns的（最大）
当前位置：
非常低功率版：操作： 35毫安（最大）
待机：为10uA （最大）
全静态操作，无时钟或刷新要求
所有输入和输出直接TTL兼容
采用三态输出通用I / O
输出使能和两个芯片使能输入，方便
应用
数据保持电压： 2.0V （分钟）
导言（ 2005年7月，版本0.0 ）
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AMIC技术股份有限公司
