摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MUN5211T1 / D
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单个装置
和它的外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻晶体管）
包含一个带有整体式偏置网络包括两个单个晶体管
电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极电阻。在BRT消除
这些单独的部件通过将它们集成到单个设备中。利用
一个BRT可以降低系统成本和电路板空间。该设备采用
在SC- 70 / SOT- 323封装，适用于低功率表面贴装
应用程序。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过焊接
波或回流。修改后的鸥翼引线吸收
焊接过程中消除的可能性热应力
的损坏模具。
可在8毫米压纹带和卷轴
设备号责令7英寸/ 3000单元卷轴。
替换“ T1”与“ T3 ”的设备编号订购
13英寸/ 10,000件卷轴。
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
总功率耗散@ TA = 25 ° C（ 1 ）
减免上述25℃
符号
VCBO
VCEO
IC
PD
R1
PIN1 R2
BASE
（输入）
PIN2
辐射源
（接地）
PIN3
集热器
（输出）
MUN5211T1
系列
摩托罗拉的首选设备
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3
1
2
CASE 419-02 ，花柱3
SC-70/SOT-323
价值
50
50
100
*150
1.2
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
热特性
热电阻 - 结到环境（表面贴装）
工作和存储温度范围
最大焊接温度的目的，
在焊接洗澡时间
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
833
- 65 + 150
260
10
° C / W
°C
°C
美国证券交易委员会
器件标识和电阻值
设备
MUN5211T1
MUN5212T1
MUN5213T1
MUN5214T1
MUN5215T1(2)
MUN5216T1(2)
MUN5230T1(2)
MUN5231T1(2)
MUN5232T1(2)
MUN5233T1(2)
MUN5234T1(2)
记号
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
8J
8K
8L
R1 （ K）
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
R2 （ K）
10
22
47
47
∞
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.新设备。更新时间曲线跟随在后面的数据表。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
