STW33N20
N - 沟道增强型
功率MOSFET
TYPE
ST W33N20
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
200 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.085
I
D
33 A
典型
DS （ ON）
= 0.073
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
150
o
C的工作温度
面向应用
表征
3
2
1
TO-247
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
DC-DC转换器， & DC-AC逆变器
s
通信电源用品
s
工业电机驱动器
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
T
英镑
T
j
圣ORAGE温度
马克斯。工作结温
o
价值
200
200
±
20
33
20
132
180
1.44
-65到150
150
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W / C
o
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1997年10月
1/9
