CY7C4421V/4201V/4211V/4221V
CY7C4231V/4241V/4251V
64 x 9
8
6
0
8
256 x 9
7
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
512 x 9
0
8
7
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
1K ×9
0
8
7
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
0
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
8
0
8
0
8
0
（MSB）
0
8
1
（MSB）
00
0
8
6
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
7
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
7
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
7
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
0
8
0
8
0
（MSB）
0
8
1
（MSB）
00
0
2K ×9
8
7
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
4K ×9
0
8
7
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
8K ×9
0
8
7
空偏移（ LSB）注册。
默认值= 007H
0
8
2
（MSB）
000
0
8
3
（MSB）
0000
0
8
4
（MSB）
00000
0
8
7
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
7
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
7
全偏移（ LSB ）注册
默认值= 007H
0
8
2
（MSB）
000
0
8
3
（MSB）
0000
0
8
4
（MSB）
00000
0
图1.偏移寄存器地址和默认值
可编程标志（ PAE ， PAF ）操作
无论是标志失调所描述的寄存器进行编程
in
表1
或使用默认值，该可编程
几乎空标志（ PAE ）和可编程几乎满标志
（ PAF）的状态由它们相应的偏移量确定
寄存器和读与写之间的差
指针。
表1.书面偏移寄存器
LD
0
文
0
WCLK
[1]
选择
空偏移（ LSB ）
空偏移（ MSB ）
全偏移（ LSB ）
全偏移（ MSB ）
无操作
写入FIFO
无操作
由空偏移至少显著位所形成的数
注册和空失调最显著寄存器被称为
为
n
并且确定PAE的操作。 PAE是同步的
一个触发器认列之于RCLK的低到高的转变
并为低电平时， FIFO包含n个或更少的未读字。
PAE设置HIGH由RCLK的低到高的转变
当FIFO中包含第（n + 1 ）或更大的未读单词。
通过充分抵消至少显著位所形成的数
注册和充分抵消最显著位寄存器被称为
as
m
并确定血小板活化因子的操作。 PAE是同步的
的发布到WCLK的低到高的转变由一个触发器
并置为低电平时的未读的字在FIFO的数量
大于或CY7C4421V （64 - 米）相等， CY7C4201V
（256 - 米） ， CY7C4211V （512 - 米） ， CY7C4221V （1K - 米） ，
CY7C4231V （2K - 米） ， CY7C4241V （ 4K - 米） ，和
CY7C4251V （ 8K - 米）。 PAF就为高由低到高
WCLK过渡时可用内存的数量
位置是大于m 。
0
1
1
1
0
1
注意：
1.同样的选择顺序适用于从寄存器读取。 REN1和REN2启用和读是在RCLK的低到高的跳变进行。
文件编号： 38-06010修订版**
第17页4
