SPD31N05
SPU31N05
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
d
v
/d
t
评级
175 ° C工作温度
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
55 V
55 V
I
D
31 A
31 A
R
DS （上
)
0.04
0.04
包
订购代码
SPD31N05
SPU31N05
P-TO252
P-TO251
Q67040 - S4121 - A2
Q67040 - S4113 - A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
I
D
A
31
22
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
I
Dpuls
124
E
AS
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 31 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 291 H,
T
j
= 25 °C
mJ
140
I
AR
E
AR
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管D
v
/d
t
I
S
= 31 A,
V
DS
= 40 V ，D
i
F
/d
t
= 200 A / μs的
T
JMAX
= 175 °C
31
7.5
A
mJ
KV / μs的
d
v
/d
t
6
V
GS
P
合计
门源电压
功耗
T
C
= 25 °C
±
20
75
V
W
半导体集团
1
30/Jan/1998
