30ETH06 ， 30ETH06S ， 30ETH06-1
公告PD- 20748转。 08/01
180
允许外壳温度（ ℃）
90
平均功耗（瓦）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
RMS限制
160
140
120
方波（ D = 0.50 ）
100
额定Vr的应用
见说明（ 3 ）
DC
D = 0.01
D = 0.02
D = 0.05
D = 0.1
D = 0.2
D = 0.5
DC
80
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 5 - 最大。允许外壳温度
与平均正向电流
5 10 15 20 25 30 35 40 45
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
90
80
70
60
TRR （ NS ）
IF = 30 A
IF = 15 A
1200
V
R
= 200V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
1000
IF = 30 A
IF = 15 A
800
QRR （ NC ）
V
R
= 200V
T
J
= 125C
T
J
= 25C
50
40
30
20
600
400
200
10
0
100
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 7 - 典型的反向恢复与迪
F
/ DT
1000
0
100
1000
di
F
/ DT （ A / μs）内
图。 8 - 典型的存储电荷主场迎战迪
F
/ DT
(3)
公式中使用：T已
C
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
=额定V
R
4
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