X3100 / X3101 - 初步信息
过电流保护
除了监控电池单元的电压，所述
X3100和X3101持续监控电压VCS
21
（ VCS
2
-VCS
1
）横跨电流检测电阻
(R
SENSE
） 。如果VCS
21
＆ GT ; V
OC
一时间超牛逼
OC
,
然后，器件进入过电流保护模式
（图7） 。在这种模式下， X3100和X3101
自动切换放电FET关断（ UVP /
OCP = Vcc的） ，从而防止电流从佛罗里达州超欠
通过在端子P +和P- 。
图7.过电流保护
P+
Q2
I
LMON
D1
V
RGO
如果负载电阻>
150k
(I
LMON
= 0μA ）的时间
超牛逼
OCR
的话， X3100或X3101被释放
从过电流保护方式。放电FET
然后自动打开（ UVP / OCP = VSS ）通过
在X3100或X3101 ，除非UVP / OCP的地位
在控制寄存器被改变（通过操作位
UVPC ）中的过电流保护方式。
T
OC
/T
OCR
利用电容变化是（C
OC
）连接
引脚之间的华侨城和VSS 。典型的延迟时间列表
示于表23 。注意，值C的
OC
应
比1nF的大。
该延时T
OC
和T
OCR
导致从一个特定
电容C
OC
可以由以下近似
公式：
T
OC
（女士）
≈
万乘C
OC
(F)
T
OCR
（女士）
≈
万乘C
OC
(F)
Q10
OVP / LMON
负载
表23.典型的过流延迟时间
符号
描述
过电流
检测延迟
过电流
发布时间
X3100/X3101
FET控制
电路
C
OC
0.001
F
0.001
F
延迟
10毫秒（典型值）
10毫秒（典型值）
T
OC
T
OCR
VSS
VCS1
R
SENSE
VCS2
P-
V的值
OC
可以从这些值中选择
表6中所示，通过设置位VOC1 ， VOC0在
CON组fi guration寄存器使用WCFIG命令。
注意：如果充电FET关断时，由于一
过充电状态，或者从直接命令
微控制器，所述细胞是不能在一个欠压
条件和包有负载，则过度
电流可能溢流过Q10和二极管D1 。对
消除这种影响， Q10的栅极可以通过关闭
通过一个未使用的X3101单元的微控制器
从微控制器端口的平衡输出，或直接
而不是连接到V
RGO
.
该5VDC稳压器输出（V
RGO
）总是
期间的过电流保护方式激活。
一旦器件进入过电流保护模式，
在X3100和X3101开始负载监控状态。在
负载监控状态，小电流（I
LMON
= 7.5μA （典型值） ）是
传递出脚OVP / LMON ，以确定
负载电阻。负载电阻的阻抗
可见看着窗外引脚的OVP / LMON ，终端之间
P +和VSS引脚（参见图7 ）
REV 1.1.8 02年12月10日
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特性如有变更，恕不另行通知。
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