X3100 / X3101 - 初步信息
四个输入电阻为运算放大器OP1 。反馈
电阻保持不变。输入到反馈的这个比例
电阻器决定了增益。把外部电阻
串联在输入端降低了放大器器的增益。
VCS
1
和VCS
2
被读出的AO相对于直流
偏置电压为2.5V 。因此，电压范围
VCS
12
和VCS
21
根据变化
目前溢流的方向（即电池单元在充电
或放电表21 ） 。
表26. AO电压范围VCS
12
和VCS
21
AO
VCS
12
VCS
12
VCS
21
VCS
21
2.5V （即阈值电压的场效应管） ，Q2的开关
开，短路VCC到Q1的基极。由于基
Q1的电压现在是比发射极电压时，Q1更高
开关处于OFF状态，从而将供电电流变为零。
典型值的R
LMT
我
LMT
示于表27 。
为了保护所述电压调节器电路，从
在发生短路的损坏，R
LMT
≥
应该10Ω
总是被使用。
表27.典型值的R
LMT
我
LMT
R
LMT
10
25
50
电压稳压器电流限值（I
LMT
)
250毫安± 50 ％ （典型值）
百毫安± 50 ％ （典型值）
50毫安± 50 ％ （典型值）
细胞状态
收费
放电
收费
放电
AO电压范围
2.5V
≤
AO
≤
5.0V
0V
≤
AO
≤
2.5V
0V
≤
AO
≤
2.5V
2.5V
≤
AO
≤
5.0V
通过计算的VCS的差
12
和VCS
21
该
内部运算放大器电路的偏置电压为
取消了。这允许精确计算
当前溢流流入和流出电池单元。
组当前正在使用的计算公式为：
当选择R的值
LMT
，该驱动器的限制
使用PNP晶体管也应考虑到
考虑。晶体管应具有一个增益
至少100 ，以支持为250mA的输出电流。
图10.电压调节器操作
VCC
(
VCS
12
–
VCS
21
)
-
收拾电流= ---------------------------------------------------------------------------------------------------------
(
2
) (
增益设置
） （电流
检测电阻）
以内部电压
调节电路
未调节
电压
输入
R
LMT
X3100/X3101
稳压器
在X3100和X3101能够提供外设
用5VDC稳压器件± 0.5 ％的输出引脚
RGO 。电压调节器应配置
外，如图10 。
OP1的非反相输入端被馈以高
精密5VDC电源。在所述输出端的电压
电压调节器（V
RGO
）进行比较，这个5V
通过OP1的反相输入端的参考。的输出
OP1又驱动调节器的pnp晶体管（Q1） 。该
在稳压器的输出负反馈维持
电压5VDC ±0.5 ％ （包括纹波） ，尽管
负荷变化，并且在调节器的晶体管的不同。
当电源适用于针的X3100的VCC或
X3101 ，V
RGO
被调节到5VDC ± 10％的标称
时间t
OC
+ 2ms的。在这段时间期间，V
RGO
is
“调整”，以达到5VDC的一个网络连接最终值± 0.5％ （图2）。
的最大电流可以溢流，从电压
稳压器（我
LMT
）由电流限制控制
电阻器（R
LMT
）连接RGP和VCC之间。当
跨越VCC与RGP的电压达到一个标称
REV 1.1.8 02年12月10日
调音
RGP
Q2
I
LMT
5VDC
精确
电压
参考
+
_
OP1
研资局
Q1
RGO
监管
5VDC输出
0.1
F
V
RGO
4k位EEPROM存储器
在X3100和X3101包含CMOS 4K位串行
EEPROM ，内部组织为512 x 8位。这
记忆是通过SPI端口可以访问，并且采用了
IDLock功能。
的4k位的EEPROM阵列可以由SPI访问
端口在任何时候，即使是在一个保护模式中，除
在睡眠模式。后功率被施加到VCC
X3100或X3101 ， EEREAD和EEWRITE说明
特性如有变更，恕不另行通知。
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