X3100 / X3101 - 初步信息
-load监视器（ LMON ）
在过电流保护模式下，一个小的测试电流
（ 7.5μA典型值）是通过该引脚来检测负载的出
性。测得的负载电阻确定
是否从所述的X3100或X3101回报
过电流保护模式（参见“过流
保护“第18页） 。
过放电（欠压）保护/
过电流保护（ UVP / OCP ） ：
销的UVP / OCP的控制通过一个电池组电池的放电
外部功率FET 。此P沟道场效应晶体管允许细胞
放电时， UVP / OCP = VSS ，并防止细胞
放电时， UVP / OCP = VCC 。在X3100和X3101
打开外部功率FET关闭时， X3100或
X3101检测之一：
- 过放电保护（ UVP ）
在这种情况下，销24被称为“过放电
（欠压）保护（ UVP ） “ （见”超额
放电保护“第15页） 。 UVP / OCP关闭
场效应晶体管，以防止损坏电池单元通过被
排出到过低的电压。
- 过电流保护（ OCP ）
在这种情况下，销24被称为“过电流
保护（ OCP ） “ （见”过电流保护“
第18页） 。 UVP / OCP关闭FET ，以防止
损坏的电池组造成电流过大
漏（例如，作为在所得的浪涌电流的情况下
从停滞不前的磁盘驱动器） 。
典型应用电路
在X3100和X3101已设计来操作
使用正确的连接在典型时，
应用电路（见图1第5页） 。
功率MOSFET的Q1和Q2被称为
“放电场效应管”和“充电FET ， ”分别。自
这些FET是P沟道器件，他们将在何时
盖茨是在V
SS
和关断时的门是在
V
CC
。如它们的名称所暗示的，所述放电FET来
控制单元放电，而充电FET被用来
控制细胞的电荷。二极管D1允许电池单元
负责接收，即使放电FET关断，同时
二极管D2允许即使充电的电池放电
FET为OFF 。 D1和D2组成的功率场效应。它
应当指出，所述细胞既不能充电，也不
如果放电充电FET和放电FET都是
关。
电源X3100或X3101应用通过引脚VCC
二极管D6和D7 。这些二极管允许该设备是
REV 1.1.8 02年12月10日
搭载了锂离子电池组在正常运行
条件，并允许该设备由一个供电
外部源（例如一个充电器）通过销P +时
电池单元进行充电。这些二极管应
有苏夫网络cient电流和电压额定值同时处理
的电池单元的充电和放电的情况下。
的电压调节器的动作中进行说明
一节“稳压器”第21页。这对监管机构
提供一个5VDC ±0.5 ％的输出。所述电容器（C1）
从RGO连接到地提供了一些噪音
网络滤波的RGO输出。建议值
0.1μF或更小。选择必须允许V值
RGO
to
衰变至0.1V在170ms以内时X3100或
X3101进入睡眠模式。如果衰减慢于
此，电阻（R 1）可以被放置在平行于
电容。
在初始导通时间段（T
PUR
+ T
OC
), V
RGO
有
一种稳定的，调节的5VDC的输出范围± 10％
（参见图2） 。微控制器的选择
应该考虑到这一点。在这个回合结束
在期间， X3100和X3101 “自我曲调”输出
电压调节至5V +/- 0.5％ 。这样，V
RGO
可以用作一个参考电压，在A / D转换器
在微控制器。反复加电操作，
一贯再次申请相同的“调整”值V
RGO
.
图1示出了电池组温度传感器
实现为简单的电阻分压器，
利用热敏电阻（R
T
）和电阻（R
T
'） 。电压
V
T
可以馈送到微控制器中的A / D输入和
用于测量和监控的温度
电池单元。
T
“应考虑的选择
R的动态电阻范围
T
以及在输入
电压范围单片机的A / D输入。输出
微控制器可以用于打开
热敏电阻分压器，以允许周期性的导通的传感器。
这降低了功耗由于电阻
串并不总是消耗电流。
二极管D3是包含便于在一个负载监控
过电流保护模式（参见“超额
电流保护“第18页）上，同时防止
当前进销OVP / LMON在正常溢流
操作。 N沟道晶体管关闭此
在睡眠模式功能。
电阻R
PU
在栅极和漏极连接
充电FET （Q2） 。放电FET Q1导通
断通过在销的X3100或X3101 ，因此，电压
OVP / LMON将（最大）等于电压
电池端子，减去一个正向偏置二极管
电压降（V
P+
–V
D7
） 。由于Q2的漏极
连接到一个更高的电势（V
P+
）一个上拉电阻
特性如有变更，恕不另行通知。
www.xicor.com
4 40
