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AD842–SPECIFICATIONS
（ @ 25 ℃，
模型
条件
输入失调电压
3
T
民
–T
最大
失调漂移
输入偏置电流
T
民
–T
最大
输入失调电流
T
民
–T
最大
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入电压范围
共模
共模抑制
输入电压噪声
宽带噪声
开环增益
差模
100
2.0
10
86
80
0.1
14
4.2
民
0.5
15伏直流电，除非另有说明）
AD842K
最小典型最大
0.3
14
8
10
0.4
0.5
3.5
0.05
5
6
0.2
0.3
1.0
1.5
民
AD842S
2
典型值
0.5
14
4.2
0.1
8
12
0.4
0.6
最大
1.5
3.5
单位
mV
mV
μV/°C
A
A
A
A
k
pF
V
dB
dB
纳伏/赫兹÷
V
RMS
V / MV
V / MV
V
mA
兆赫
兆赫
ns
%
V / μs的
ns
ns
%
度
V
V
mA
mA
dB
dB
°C
AD842J/JR
1
典型值
最大
1.5
2.5/3
100
2.0
10
90
86
10
86
80
100
2.0
V
CM
=
±
10 V
T
民
–T
最大
F = 1千赫
10赫兹到10兆赫
V
O
=
±
10 V
R
负载
≥
500
T
民
–T
最大
R
负载
≥
500
V
OUT
=
±
10 V
开环
V
OUT
= 90毫伏
V
O
= 20 V P-P
R
负载
≥
500
A
VCL
= –2
A
VCL
= –2
A
VCL
= –2
10 V步骤
到0.1％
至0.01％
F = 4.4 MHz的
F = 4.4 MHz的
115
9
28
115
9
28
115
9
28
40/30
20/15
10
100
90
50
25
10
100
90
40
20
10
100
90
输出特性
电压
当前
频率响应
增益带宽积
全功率带宽
4
上升时间
5
冲
5
压摆率
5
建立时间
5
5
80
4.7
6
10
20
375
80
100
0.015
0.035
±
15
5
13/14
18
14/16
16/19.5
5
4.7
5
80
6
10
20
375
80
100
0.015
0.035
±
15
13
90
86
+75
0
AD842KN
AD842KQ
105
18
14
16
5
4.7
5
80
6
10
20
375
80
100
0.015
0.035
±
15
13
86
80
+75
–55
100
18
14
19
300
300
300
微分增益
微分相位
电源
额定性能
工作范围
静态电流
电源抑制比
温度范围
额定性能
6
封装选项
塑料（ N-14 ）
CERDIP （ Q- 14 ）
SOIC （R- 16）的
磁带和卷轴
的TO- 8 （H- 12A）
LCC （ E- 20A ）
芯片
T
民
–T
最大
V
S
=
±
5 V至
±
18 V
T
民
–T
最大
86
80
0
100
+125
AD842JN
AD842JQ
AD842JR-16
AD842JR-16-REEL
AD842JR-16-REEL7
AD842JH
AD842JCHIPS
AD842SQ ， AD842SQ / 883B
AD842KH
AD842SH
AD842SE/883B
AD842SCHIPS
笔记
1
AD842JR规格不同于所述AD842JN ， JQ和JH的由于SOIC封装的热特性。
2
标准军用图纸提供5962-8964201xx
2A - （ SE / 883B ） ; XA - （ SH / 883B ） ;加利福尼亚州 - （ SQ / 883B ） 。
3
输入失调电压规格在T 5分钟后保证
A
= +25°C.
4
全功率带宽=转换速率/ 2
π
V
PEAK
.
5
参阅图22和23 。
6
“S”高档T
民
–T
最大
规格与自动测试设备在T测试
A
= -55°C和T
A
= +125°C.
所有的最小和最大规格有保证。如图规格
粗体
所有生产经营单位进行了测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
英文内容
