硅结场效应晶体管（小信号）
P
D
Ta
200
–4.0
Ta=25C
175
–3.5
–2.5
2SJ0364
I
D
V
DS
–3.0
V
DS
=–10V
I
D
V
GS
允许功耗P
D
（ mW）的
漏电流I
D
（MA ）
漏电流I
D
（MA ）
150
125
100
75
50
25
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
–3.0
–2.5
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
V
GS
=0V
–2.0
–1.5
0.2V
0.4V
0.6V
0.8V
–1.0
– 0.5
0
0
1
2
3
4
5
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
| Y
fs
|
V
GS
4.0
16
V
DS
=–10V
f=1kHz
Ta=25C
| Y
fs
|
I
D
输入电容（共源） ，输出电容（共源）
反向传输电容（共源）C
国际空间站
,C
OSS
,C
RSS
（PF ）
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
V
DS
=–10V
f=1kHz
Ta=25C
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
V
DS
24
f=1MHz
V
GS
=0
Ta=25C
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.0
14
12
10
8
6
4
2
0
20
16
C
国际空间站
12
8
4
C
OSS
C
RSS
0
–1
–3
–10
–30
–100
1.5
1.0
0.5
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
（MA ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
240
