X5643, X5645
图5.读EEPROM阵列序列
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25
26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
设置WP引脚为低电平时WPEN是“1 ”，而在
内部写周期的状态寄存器进行中
不会停止该写入操作，但操作显示
ABLES随后尝试写入到状态寄存器。
当WP为高电平时，所有的功能，包括非易失性
写到状态寄存器正常工作。环境
在状态WPEN位为“0 ”块
WP引脚功能，允许写入状态寄存器
当WP是高还是低。设置WPEN位为“1”
而WP引脚为低电平时激活可编程
ROM模式，因此需要在WP引脚电平变
之前的后续状态寄存器的改变。这
允许制造到安装设备的系统
与WP引脚接地，并且仍然能够编程的
状态寄存器。再制造可以加载的配置
化数据，制造时间和其他参数
到EEPROM中，然后设置的存储器的一部分，以
通过设置块锁定位进行保护，并最终
设置“ OTP模式”通过将WPEN位。数据
改变现在需要硬件的变化。
阅读顺序
从EEPROM存储器阵列读取数据时， CS为
科幻RST拉低来选择该设备。 8位读
指令被发送到设备，其次是16
位地址。后读的操作码和地址被发送，
在所选择的地址存储在存储器中的数据是
移出SO线。在存储器中存储的数据
下一个地址可以按顺序通过连续读取
提供时钟脉冲。地址是自动递增
每个数据字节后mented到下一个更高的地址
被移出。当达到最高的地址，该
地址计数器计满，以解决0000美元允许
读周期被无限期地继续下去。在读操作
化是通过拉高CS结束。参考读
EEPROM阵列序列（图1） 。
读状态寄存器， CS线是连接RST拉低
选择器件随后的8位RDSR指令
化。后RDSR操作码发送的内容
状态寄存器移出SO线。请参阅
在读状态寄存器序列（图2）。
写序
之前的任何企图将数据写入到所述装置中，所述
“写使能”锁存（ WEL ）必须连接应首先通过发行集
WREN指令（图3 ） 。 CS是网络首先被拉低，
那么WREN指令被发送到器件。
毕竟8位指令的发送， CS
然后必须采取高。如果用户继续在
写操作，而不会拉高CS发出后，
WREN指令，写操作将被忽略。
将数据写入EEPROM存储器阵列中，用户
然后发出写指令后的16
位地址，然后将数据写入。任何
未使用的地址位是特定网络连接编为“ 0” 。该
写操作需要最少32个时钟周期。 CS必须
变低并保持低的操作的持续时间
化。如果地址计数器达到一页面结束
和时钟继续，计数器将回滚到
页的第一地址和覆盖任何数据
可能已被预先写入。
对于页写操作（字节或页写）是
完成后， CS只能在高位为0后，带来了
最后一个数据字节将被写入的时钟频率。如果它是
在其他任何时间，带来了高，写操作
将不能完成（图4） 。
写状态寄存器， WRSR指令是
接着要写入的数据（图5） 。数据位
0和1必须为“0”。
7
FN8135.1
2005年7月18日
