晶体管
2SB0710 ， 2SB0710A
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于一般的放大
补充2SD0602和2SD0602A
I
特点
大的集电极电流I
C
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
1
0.40
+0.10
–0.05
3
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10°
1.1
+0.2
–0.1
参数
集电极
基极电压
集电极
发射极电压
2SB0710
2SB0710A
2SB0710
2SB0710A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
60
25
50
5
1
500
200
150
55
to
+150
单位
V
V
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
0-0.1
1.1
+0.3
–0.1
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
(0.65)
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
A
mA
mW
°C
°C
标记符号
2SB0710 ：
C
2SB0710A ：
D
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极
基极电压
集电极
发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
*1
集电极到发射极饱和电压
*1
基地发射极饱和电压
*1
跃迁频率
集电极输出电容
注）* 1 ：脉冲测量
* 2 ：等级分类
秩
h
FE1
记号
符号
2SB0710
2SB0710A
Q
85至170
CQ
DQ
R
120至240
CR
DR
S
170至340
CS
DS
无秩
85至340
C
D
无等级的产品是不是方法分类
田间并没有指示为
军衔。
2SB0710
2SB0710A
2SB0710
2SB0710A
V
EBO
h
FE1 * 2
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 150
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 500
mA
I
C
= 300
妈，我
B
= 30
mA
I
C
= 300
妈，我
B
= 30
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
= 0,
f
=
1兆赫
V
首席执行官
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
符号
I
CBO
V
CBO
条件
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
30
60
25
50
5
85
40
0.35
1.1
200
6
15
0.6
1.5
V
V
兆赫
pF
340
V
V
民
典型值
最大
0.1
单位
A
V
0.4
±0.2
5°
1
