HB52RF649DC -B ， HB52RD649DC -B
PD系列矩阵*
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
函数来描述
所使用的模块的字节数
生产厂家
总SPD内存大小
内存类型
行地址数位
列地址数位
银行的数量
模块数据宽度
模块的数据宽度（续）
模块接口信号电平
SDRAM的周期时间
（最高/ CE潜伏期）
（ -75 ） 7.5ns
（ -A6 ）为10ns
位7位6位5位4位3位2位1位0的十六进制值
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
80
08
04
0D
0A
02
48
00
01
75
A0
54
60
02
82
08
08
01
0F
04
06
01
01
00
0E
A0
评论
128
256byte
SDRAM
13
10
2
72
0 (+)
LVTTL
CL = 3
10
从时钟SDRAM存取（最高
/ CE潜伏期）
0
（ -75 ） 5.4ns
（ -A6 ）为6ns
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
模块配置类型
刷新率/类型
SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
SDRAM器件的属性：
最小时钟延时返回，用于─
回到随机列地址
SDRAM器件的属性：
突发长度支持
SDRAM器件属性：数
SDRAM器件银行
SDRAM器件的属性：
/ CE潜伏期
SDRAM器件的属性：
/ S延迟
SDRAM器件的属性：
/ W延迟
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性：一般
SDRAM的周期时间
（第二最高/ CE潜伏期）
10ns
从时钟SDRAM的访问（第2
最高/ CE潜伏期）
6ns
SDRAM的周期时间
（ 3最高/ CE潜伏期）
未定义
ECC
正常
(7.8125s)
自刷新
×
8
×
8
1 CLK
1, 2, 4, 8
4
2, 3
0
0
无缓冲
VCC的± 10％的
CL = 2
24
0
1
1
0
0
0
0
0
60
25
0
0
0
0
0
0
0
0
00
数据表E0223H30 （ 3.0版）
4
